Существует мнение, что технологический предел для выгодного с экономических позиций выпуска флеш-памяти NAND-типа – 15 (16) нм. Дальнейшее развитие флеш-памяти связывают с созданием многослойной архитектуры, чем уже занялась компания Samsung, представившая т.н. 3D V-NAND-память.